參數(shù)資料
型號： FDB3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.2 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大小： 270K
代理商： FDB3672
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3672 Rev. A
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
100
3000
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 44A
I
D
= 22A
WAVEFORMS IN
DESI
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PDF描述
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