參數(shù)資料
型號： FDB3672
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.2 A, 100 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： FDB3672
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3672 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
10
20
30
40
50
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.01
0.1
1
10
-4
10
-3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2
10
-5
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
100
10
-5
10
-4
10
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
500
30
I
D
,
t, PULSE 10
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
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