參數(shù)資料
型號： FDB2532
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 8 A, 150 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： TO-263AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 275K
代理商： FDB2532
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 Rev. B
F
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
0
25
50
75
100
125
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.01
0.1
1.0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10-1
10
0
10
1
2.0
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
100
1000
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
2000
50
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP2532 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDI33N25 250V N-Channel MOSFET
FDI33N25TU 250V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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