參數(shù)資料
型號(hào)： FCX1149A
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
中文描述： 3000 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： FCX1149A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
CONDITIONS.
MIN.
TYP.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-30
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CES
-25
V
I
C
=-100 A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-25
V
I
C
=-10mA*
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEV
-25
V
I
C
=-100 A, V
EB
=+1V
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-0.3
-100
nA
V
CB
=-24V
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.3
-100
nA
V
EB
=-4V
Collector Emitter Cut-Off
Current
I
CES
-0.3
-100
nA
V
CES
=-20V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-45
-100
-140
-200
-230
-80
-170
-240
-300
-350
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
=-0.1A, I
B
=-1mA*
I
C
=-0.5A, I
=-3mA*
I
C
=-1A, I
B
=-7mA*
I
C
=-3A, I
B
=-100mA*
I
C
=-4A, I
B
=-140mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-930
-1050
mV
I
C
=-3A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
-840
-1000
mV
I
C
=-3A, V
CE
=-2V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
270
250
150
115
450
400
260
190
50
800
I
C
=-10mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-0.5A, V
CE
=-2V*
I
C
=-3.0A, V
CE
=-2V*
I
C
=-5.0A, V
CE
=-2V*
I
C
=-10.0A, V
CE
=-2V*
Transition Frequency
f
T
135
MHz
I
=-50mA, V
CE
=-10V
f=50MHz
Output Capacitance
C
cb
50
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
Switching Times
t
on
150
ns
I
C
=-4A, I
B
=-40mA,
V
CC
=-10V
t
off
270
ns
I
C
=-4A, I
B
= 40mA,
V
CC
=-10V
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 s. Duty cycle 2%
FCX1149A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCX1151A PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
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FCX493 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
FCX495 NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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