參數(shù)資料
型號(hào)： FCX558
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 200 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 17K
代理商： FCX558
SOT89 PNP SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 – MARCH 1996
FEATURES
*
400 Volt V
CEO
*
P
tot
= 1 Watt
COMPLEMENTARY TYPE –
FCX458
PARTMARKING DETAIL –
P58
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
:T
stg
-400
V
Collector-Emitter Voltage
-400
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-200
mA
Peak Pulse Current
-500
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
1
W
-65 to +150
°C
SYMBOL
V
(BR)CBO
MIN.
-400
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
V
(BR)CEO
-400
V
I
C
=-10mA*
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-100
μ
A
I
CBO
;I
CES
I
EBO
V
CE(sat)
-100
-100
-0.2
-0.5
-0.9
nA
nA
V
V
V
V
CB
=-320V; V
CES
= 320V
V
EB
=-4V
I
C
=-20mA, I
B
=-2mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-6mA*
I
C
=-50mA, I
B
=-5mA*
V
BE(sat)
V
BE(on)
-0.9
V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
h
FE
100
100
15
50
300
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-50mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-10V*
I
=-10mA, V
CE
=-20V
f=20MHz
V
CB
=-20V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
Switching times
C
obo
5
pF
t
on
t
off
95 Typical
1600 Typical
ns
ns
I
C
=-50mA, V
C
=-100V
I
B1
=-5mA, I
B2
=-10mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
For typical characteristics graphs see FZT558 datasheet.
3 - 90
FCX558
C
C
B
E
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PDF描述
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