參數(shù)資料
型號(hào)： FCX495
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 16K
代理商： FCX495
SOT89 NPN SILICON PLANAR
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
ISSUE 3 OCTOBER 1995
FEATURES
*
150 Volt V
CEO
*
1 Amp continuous current
%
PARTMARKING DETAIL –
N95
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
170
V
Collector-Emitter Voltage
150
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
1
A
Peak Pulse Current
2
A
Base Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
SYMBOL
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
V
CEO(sus)
V
(BR)EBO
Collector Cut-Off
Currents
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
Emitter Saturation
Voltages
V
BE(sat)
Base-Emitter
Turn On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
1
W
-65 to +150
°C
MIN.
170
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=100
μ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
μ
A
V
CB
=150V, V
CE
=150V
150
5
V
V
I
CBO
, I
CES
100
nA
100
0.2
0.3
1.0
1.0
nA
V
V
V
V
V
EB
=4V
I
C
=250mA, I
B
=25mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
V
CE(sat)
V
BE(on)
h
FE
100
100
50
10
100
300
I
C
=1mA, V
=10V
I
C
=250mA, V
CE
=10V*
I
C
=500mA, V
=10V*
I
C
=1A, V
CE
=10V*
I
=50mA, V
CE
=10V
f=100MHz
V
CB
=10V, f=1MHz
Transition Frequency
f
T
MHz
Collector-Base
Breakdown Voltage
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT495 Datasheet
C
obo
10
pF
FCX495
C
C
B
E
3 - 89
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCX558 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FCX589 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
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FCX593 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FCX596 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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