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參數(shù)資料
| 型號： | F49L800UA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | F49L800UA-90T |
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ES MT
10.1 Read Operation
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 21/47
TA = 0C to 70C, V
CC
= 2.7V~3.6V
Table 10. Read Operations
-70
-90
Symbol
Description
Conditions
Min.
70
Max.
Min.
90
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time (Note 1)
ns
t
ACC
Address to Output Delay
CE
=
OE
= V
IL
70
90
ns
t
CE
CE
to Output Delay
OE
= V
IL
70
90
ns
t
OE
OE
to Output Delay
CE
= V
IL
30
35
ns
t
DF
OE
High to Output Float
(Note1)
CE
= V
IL
25
30
ns
Output Enable
Read
0
0
ns
t
OEH
Hold Time
Toggle and
Data Polling
10
10
ns
t
OH
Address to Output hold
CE
=
OE
= V
IL
0
0
ns
Notes :
1. Not 100% tested.
2. t
DF
is defined as the time at which the output achieves the open circuit condition and data is no longer
driven.
Figure 5. Read Timing Waveform
t
RC
Addresses Stable
Output Valid
Address
High- Z
CE
W E
0V
RY/BY
RESET
OE
Outputs
High- Z
t
AC C
t
O E H
t
O E
t
O H
t
D F
t
CE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F50-A24-3002A90 | RF Coaxial Connectors |
| F5001H | INTELIGENT POWER SWITCH |
| F5001 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F5033 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| F50N06LE | 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F49L800UA-90TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F49L800UA-90TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| F-49U | 制造商:Triad Magnetics 功能描述: |
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| F4A092 | 制造商:Belkin 功能描述:Belkin - Serial gender changer - DB-9 (M) - DB-9 (M) 制造商:Belkin 功能描述:GENDER CHANGER DB9M TO DB9M |
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