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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L800UA-90T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | F49L800UA-90T |
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ES MT
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 2/47
4. PIN CONFIGURATIONS
4.1 48-pin TSOP
4.2 Pin Description
Symbol
Pin Name
Functions
A0~A18
Address Input
To provide memory addresses.
To output data when Read and receive data when Write.
The outputs are in tri-state when OE or CE is high.
DQ0~DQ14
Data Input/Output
DQ15/A-1
Q15 (Word mode) /
LSB addr (Byte Mode)
To bi-direction date I/O when
BYTE
is High
To input address when
BYTE
is Low
CE
Chip Enable
To activate the device when CE is low.
OE
Output Enable
To gate the data output buffers.
WE
Write Enable
To control the Write operations.
RESET
Reset
Hardware Reset Pin/Sector Protect Unprotect
BYTE
Word/Byte selection input
To select word mode or byte mode
RY/
BY
V
CC
GND
NC
Ready/Busy
To check device operation status
Power Supply
Ground
No connection
To provide power
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
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24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
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36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
F49L800U/BA
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY/BY
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A16
BYTE
GND
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
GND
CE
A0
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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