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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L800BA-70T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 45/47頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | F49L800BA-70T |
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ES MT
11. ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 45/47
Table 15. Erase And Programming Performance (Note.1)
Limits
Parameter
Typ.(2)
Max.(3)
Unit
Sector Erase Time
0.7
15
Sec
Chip Erase Time
14
Sec
Byte Programming Time
9
300
Us
Word Programming Time
11
360
Us
Byte Mode
9
27
Sec
Chip Programming Time
Word Mode
5.8
17
Sec
Erase/Program Cycles (1)
100,000
-
Cycles
Data Retention
20
-
Years
Notes:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25°C, 3.3V.
3.Maximum values measured at 85°C, 2.7V.
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PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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