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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F49L800BA-70T |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8 Mbit (1M x 8/512K x 16) 3V Only CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 512K X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 20/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 435K |
| 代理商： | F49L800BA-70T |
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ES MT
10. AC CHARACTERISTICS
TEST CONDITIONS
F49L800UA/F49L800BA
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date : May. 2007
Revision: 1.2 20/47
Figure 3. Test Setup
Figure 4. Input Waveforms and Measurement Levels
Input
3.0V
0V
1.5V
Output
1.5V
Test Points
A C TE S TIN G : Input s a r e d ri ven at 3. 0 V f o r a l o g i c " 1 " a nd 0 V f o r a l og i c " 0 "
Inp ut p ul s e r i se a nd f al l ti m es a re < 5 ns .
6.2K
DIODES = IN3064
OR EQUIVALENT
+3.3V
2.7K
CL = 100pF Including jig capacitance
CL = 30pF for F49L800U/BA
CL
DEVICE UNDER
TEST
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