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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ADSE-4D-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 45/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3311K |
| 代理商： | EDX5116ADSE-4D-E |
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Data Sheet E1033E30 (Ver. 3.0)
45
EDX5116ADSE
Figure 36
Power S tate Management
Transaction a: Last precharge command
Transaction b: PDN
t
CYCLE
Powerdown Entry
CMD
a
t
CMD-PDN
Transaction 1: REFA
Transaction 2: REFA
Transaction n-1: REFA
t
CYCLE
Powerdown Exit
S
0
S
2
S
4
S
6
S
8
S
10
S
12
S
14
S
18
S
20
S
22
S
24
S
26
S
28
S
30
S
32
S
34
S
16
SCMD
Power-up transaction
t
CYC,SCK
b
PDN
t
PDN-ENTRY
Powerdown State...
t
CYCLE
1
REFA
REFP
‘1’ ‘1’ ‘0’ ‘0’
Start
t
PDN-EXIT
t
PDN-CMD
2
REFA
Transaction n: REFI
REFP
t
PDN-CFM
No signal
No signal
t
CFM-PDN
....Powerdown State
RST
SCK
CMD
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
2
4 3
5
0
1
‘0’
‘0’
2’h0,SID[5:0]
2
4 3
5
0
1
6
7
SWD[7:0]
‘0’
‘0’
SDI
(input)
SDO
(output)
2
4 3
5
0
1
6
7
SADR[7:0]
REFP
REFI
The final REFI command increments the REFr register
t
PDN-CMD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ADSE-3A-E | 512M bits XDR⑩ DRAM |
| EDZ20B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ22B | LED 5MM 563NM HI GRN WATER CLEAR |
| EDZ24B | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| EDZ | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDXSPECTRUMDAT/5962R8773901VDA | 制造商:Analog Devices 功能描述:SPECTRUM ANALYSIS - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/F8853801VGA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/R8512701VZA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/R9468002VHA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
| EDXSPECTRUMDATA/R9468002VPA | 制造商:Analog Devices 功能描述:DATA - Literature |
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