參數(shù)資料
型號(hào)： EDS6432AFTA-75TI-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-86
文件頁數(shù)： 44/49頁
文件大?。?/td> 707K
代理商： EDS6432AFTA-75TI-E
EDS6432AFTA-TI
Self Refresh Cycle
Preliminary Data Sheet E0630E10 (Ver. 1.0)
44
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
Precharge command
Self refresh entry
Auto
Self refresh exit
CKE Low
A10=1
RC
t
RP
t
Self refresh cycle
/RAS-/CAS delay = 3
CL = 3
BL = 4
=
VIH or VIL
High-Z
Next
RC
t
Next
lSREX
Self refresh entry
Clock Suspend Mode
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
a
a+1 a+2
a+3
b
b+1 b+2
R:a
C:a R:b
C:b
a
a+1 a+2
b
b+1 b+2 b+3
C:b
Bank0
Active clock
Active clock
Bank0
Bank3
Reastart
Read suspend
Bank0
Bank3
Earliest Bank3
Bank0
Bank0
Active clock
Active clock
Bank3
Writstart
Write suspend
Bank3
Bank0
Earliest Bank3
b+3
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
DQM
CLK
BS
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
a+3
High-Z
High-Z
tHI
tSI
tSI
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 2
/CAS latency = 2
Burst length = 4
= VIH or VIL
Write cycle
/RAS-/CAS delay = 2
/CAS latency = 2
Burst length = 4
= VIH or VIL
DQ (output)
DQ (input)
DQ (output)
DQ (input)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDX5116ABSE-3B-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
EDX5116ABSE-2A-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDS6432AFTA-TI 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDS6432CFBH 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFBH-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFTA 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFTA-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
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