參數(shù)資料
型號(hào)： EDS6432AFTA-75TI-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-86
文件頁(yè)數(shù)： 17/49頁(yè)
文件大?。?/td> 707K
代理商： EDS6432AFTA-75TI-E
EDS6432AFTA-TI
Preliminary Data Sheet E0630E10 (Ver. 1.0)
17
Current state
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Operation
Mode register set
H
×
×
×
×
DESL
NOP
L
H
H
H
×
NOP
NOP
L
H
H
L
×
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
ILLEGAL*
4
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
ILLEGAL*
4
L
L
H
H
BA, RA
ACT
Bank and row active*
9
L
L
H
L
BA, A10
PRE, PALL
NOP
L
L
L
H
×
REF, SELF
Refresh*
9
Remark: H: VIH. L: VIL.
×
: VIH or VIL
Notes: 1. An interval of tDPL is required between the final valid data input and the precharge command.
2. If tRRD is not satisfied, this operation is illegal.
3. Illegal for same bank, except for another bank.
4. Illegal for all banks.
5. NOP for same bank, except for another bank.
6. Illegal if tRCD is not satisfied.
7. Illegal if tRAS is not satisfied.
8. MRS command must be issued after DOUT finished, in case of DOUT remaining.
9. Illegal if
l
MRD is not satisfied.
L
L
L
L
MODE
MRS
Mode register set*
8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDX5116ABSE-3B-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
EDX5116ABSE-2A-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
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EDX5116ABSE 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
EDX5116ABSE-3C-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDS6432AFTA-TI 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
EDS6432CFBH 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFBH-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFTA 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
EDS6432CFTA-75-E 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits)
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