- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384282 > EDS6416CHTA-75-E (ELPIDA MEMORY INC) 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | EDS6416CHTA-75-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 6/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 716K |
| 代理商： | EDS6416CHTA-75-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁當(dāng)前第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
EDS6416AHBH, EDS6416CHBH
DC Characteristics 2 (TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V, VSS, VSSQ = 0V) [EDS6416AH]
(TA = 0
°
C to +70
°
C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V, VSS, VSSQ = 0V) [EDS6416CH]
[EDS6416AH]
Data Sheet E0442E40 (Ver. 4.0)
6
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Note
Input leakage current
ILI
–1
1
μA
0
≤
VIN
≤
VDD
Output leakage current
ILO
–1.5
1.5
μA
0
≤
VOUT
≤
VDD, DQ = disable
Output high voltage
VOH
2.4
—
V
IOH = –2 mA
Output low voltage
VOL
—
0.4
V
IOL = 2 mA
[EDS6416CH]
Parameter
Symbol
min.
max.
Unit
Test condition
Note
Input leakage current
ILI
–1
1
μA
0
≤
VIN
≤
VDD
Output leakage current
ILO
–1.5
1.5
μA
0
≤
VOUT
≤
VDD, DQ = disable
Output high voltage
VOH
2.0
—
V
IOH = –1 mA
Output low voltage
VOL
—
0.4
V
IOL = 1 mA
Pin Capacitance (TA = 25°C, VDD, VDDQ = 3.3V ± 0.3V) [EDS6416AH]
(TA = 25°C, VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V) [EDS6416CH]
Parameter
Symbol
Pins
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Input capacitance
CI1
CLK
1.5
—
3.5
pF
1, 2, 4
CI2
Address, CKE, /CS,
/RAS, /CAS, /WE,
DQM
1.5
—
3.8
pF
1, 2, 4
Data input/output
capacitance
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1MHz, 1.4V(EDS6416AHBH) and 1.2V (EDS6416CHBH) bias, 200mV swing.
3. DQM = VIH to disable DOUT.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
CI/O
DQ
3.0
—
6.5
pF
1, 2, 3, 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS6416AHBH | 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits) |
| EDS6416AHBH-6B-E | Circular Connector; No. of Contacts:39; Series:MS27468; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:21; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Insert Arrangement:21-39 RoHS Compliant: No |
| EDS6416AHBH-75-E | 64M bits SDRAM (4M words x 16 bits) |
| EDS6432AFTA-75TI-E | 64M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| EDX5116ABSE-3B-E | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS6416GHTA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM |
| EDS6416GHTA-10-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM |
| EDS6432AFBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits) |
| EDS6432AFBH-6B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits) |
| EDS6432AFBH-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits SDRAM (2M words x 32 bits) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。