參數(shù)資料
型號： EDS5116ABTA-6B
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封裝： PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 43/52頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： EDS5116ABTA-6B
EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
43
Timing Waveforms
Read Cycle
Bank 0
Bank 0
Bank 0
Precharge
CLK
CKE
/CS
tRAS
tRCD
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
/RAS
/CAS
/WE
BS
A10
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
tHI
tSI
tCH t
tCK
tAC
tAC
CL
tAC
tOH
tOH
tOH
tOH
tRP
tRC
/CAS latency = 2
Burst length = 4
Bank 0 access
= VIH or VIL
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
t
tLZ
VIH
tHZ
AC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS5116ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-7A 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-6B RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88%
EDS5108ABTA-6B 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-75 512M bits SDRAM
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參數(shù)描述
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