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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS5116ABTA-6B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 31/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS5116ABTA-6B |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
31
Burst Stop Command
During a read cycle, when the burst stop command is issued, the burst read data are terminated and the data bus
goes to High-Z after the /CAS latency from the burst stop command.
CLK
Command
DQ
(CL = 2)
DQ
(CL = 3)
READ
BST
out
out
out
out
out
out
High-Z
High-Z
Burst Stop at Read
During a write cycle, when the burst stop command is issued, the burst write data are terminated and data bus goes
to High-Z at the same clock with the burst stop command.
CLK
Command
DQ
in
in
in
BST
WRITE
in
High-Z
Burst Stop at Write
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| EDS5108ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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