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參數(shù)資料
| 型號： | EDS5116ABTA-6B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 39/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS5116ABTA-6B |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
39
Write command to Precharge command interval (same bank)
When the precharge command is executed for the same bank as the write command that preceded it, the minimum
interval between the two commands is 1 clock. However, if the burst write operation is unfinished, the input data
must be masked by means of DQM for assurance of the clock defined by tDPL.
CLK
Command
DQ
WRIT
PRE/PALL
tDPL
DQM
CLK
in A0
in A1
Command
DQ
WRIT
PRE/PALL
DQM
tDPL
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank) (BL = 4 (To stop write operation))
CLK
in A0
in A1
in A2
Command
DQ
WRIT
PRE/PALL
in A3
DQM
tDPL
WRITE to PRECHARGE Command Interval (same bank) (BL = 4 (To write all data))
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS5116ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
| EDS5116ABTA-7A | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-6B | RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88% |
| EDS5108ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS5116ABTA-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5116ABTA-7A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS51321DBH-6DTS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDS51321DBH-7BTS-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
| EDS51321DBH-TS | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range) |
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