參數(shù)資料
型號(hào)： EDS5108ABTA-6B
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits SDRAM
中文描述： 64M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封裝： PLASTIC, TSOP2-54
文件頁(yè)數(shù)： 25/52頁(yè)
文件大小： 564K
代理商： EDS5108ABTA-6B
EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
25
A2
A1
A0
Addressing(decimal)
Sequential
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
2, 3, 4, 5, 6, 7,
3, 4, 5, 6, 7,
4, 5, 6, 7,
5, 6, 7,
6, 7,
7,
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6,
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
1
1
1
Interleave
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7,
2, 3, 0, 1, 6, 7,
3, 2, 1, 0, 7,
4, 5, 6, 7,
5, 4, 7,
6, 7,
7,
6, 5, 4, 3, 2, 1, 0,
1
1
0
Starting Ad.
0,
0, 1,
0, 1, 2,
0, 1, 2, 3,
0, 1, 2, 3, 4,
0, 1, 2, 3, 4, 5,
6,
4, 5,
6, 5, 4,
0, 1, 2, 3,
6, 1, 0, 3, 2,
4, 5, 2, 3, 0, 1,
Burst length = 8
A1
A0
Addressing(decimal)
Sequential
0, 1, 2, 3,
1, 2, 3, 0,
2, 3, 0, 1,
3, 0, 1, 2,
0
0
1
1
0
1
0
1
Interleave
0, 1, 2, 3,
1, 0, 3, 2,
2, 3, 0, 1,
3, 2, 1, 0,
Starting Ad.
Burst length = 4
A0
Addressing(decimal)
Sequential
0, 1,
1, 0,
0
1
Interleave
0, 1,
1, 0,
Starting Ad.
Burst length = 2
Burst Sequence
Full page burst is available only for sequential addressing. The addressing sequence is started from the column
address that is asserted by read/write command. And the address is increased one by one.
It is back to the address 0 when the address reaches at the end of address 4,095 (for 128M
×
4 device), 2,047 (for
64M
×
8 device) and 1,023 (for 32M
×
16 device). “Full page” never stops the burst read/write.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS5104ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5108ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-7A 512M bits SDRAM
EDS5108ABTA-7A 512M bits SDRAM
EDS5108ABTA 512M bits SDRAM
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參數(shù)描述
EDS5108ABTA-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS5108ABTA-7A 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS5116ABTA 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
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