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參數(shù)資料
| 型號： | EDS5104ABTA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 44/52頁 |
| 文件大小： | 564K |
| 代理商： | EDS5104ABTA |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
44
Write Cycle
CLK
CKE
/CS
tRAS
tRCD
/RAS
/CAS
/WE
BS
A10
Address
DQ (input)
DQ (output)
tCH t
tCK
tHI
tHI
CL
tHI
tHI
tSI
tSI
tSI
tSI
tRP
tRC
tDPL
Bank 0
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tHI
tSI
tSI
Bank 0
Active
Bank 0
Precharge
VIH
CL = 2
BL = 4
Bank 0 access
= VIH or VIL
DQM
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
tHI
tSI
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CLK
CKE
/CS
/RAS
/CAS
/WE
BS
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
High-Z
b
b+3
b’
b’+1
b’+2
b’+3
lMRD
valid
C: b’
code
lRCD
lRP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
VIL
l
RCD
= 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS5116ABTA | 512M bits SDRAM |
| EDS5116ABTA-6B | 512M bits SDRAM |
| EDS5116ABTA-75 | 512M bits SDRAM |
| EDS5116ABTA-7A | 512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-6B | RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88% |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS5104ABTA-6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-75 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5104ABTA-7A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5108ABTA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
| EDS5108ABTA-6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM |
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