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參數(shù)資料
| 型號： | EDS5104ABTA |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 512M bits SDRAM |
| 中文描述： | 512M比特內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS5104ABTA |
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EDS5104ABTA, EDS5108ABTA, EDS5116ABTA
DQM, UDQM and LDQM
(input pins)
DQM controls input/output buffers. In 32M
×
16 products, UDQM and LDQM control upper byte (DQ8 to DQ15) and
lower byte (DQ0 to DQ7).
Read operation: If DQM is High, the output buffer becomes High-Z. If the DQM is Low, the output buffer becomes
Low-Z. (The latency of DQM during reading is 2 clocks.)
Write operation: If DQM is High, the previous data is held (the new data is not written). If DQM is Low, the data is
written. (The latency of DQM during writing is 0 clock.)
DQ0 toDQ15 (input/output pins)
Data is input to and output from these pins (DQ0 to DQ3; EDS5104AB , DQ0 to DQ7; EDS5108AB, DQ0 to DQ15;
EDS5116AB).
VDD, VSS, VDDQ, VSSQ (Power supply)
VDD and VSS are power supply pins for internal circuits. VDDQ and VSSQ are power supply pins for the output
buffers.
Preliminary Data Sheet E0250E10 (Ver. 1.0)
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參數(shù)描述 |
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