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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDS1232AATA-75L-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO86 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-86 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDS1232AATA-75L-E |
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EDS1232CABB, EDS1232CATA
Preliminary Data Sheet E0247E40 (Ver. 4.0)
46
Read Cycle/Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1 b"+2 b"+3
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
DQM
DQ (output)
DQ (input)
CLK
BS
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1b"+2 b"+3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
CKE
/RAS
/CS
/CAS
/WE
Address
DQM
DQ (input)
DQ (output)
BS
High-Z
High-Z
VIH
Read cycle
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
=
VIH or VIL
Write cycle
/RAS-/CAS delay = 3
/CAS latency = 3
Burst length = 4
= VIH or VIL
VIH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS1232AABB-60-E | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232AABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-60L-E | 128M bits SDRAM |
| EDS1232AABB-75-E | 128M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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