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參數(shù)資料
| 型號： | EDE5116AJBG-8E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 22/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDE5116AJBG-8E-E |
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EDE5108AJBG, EDE5116AJBG
Preliminary Data Sheet E1044E20 (Ver. 2.0)
22
VDD
tDS
tIS
tDH
tIH
tDS
tIS
tDH
tIH
tDS1
tDH1
tDS1
tDH1
VDDQ
VIH (AC) min.
VIH (DC) min.
VREF (DC)
VIL (DC) max.
VIL (AC) max.
VSS
DQS
DQS
CK
/DQS
/CK
VREF to AC
region
VREF to AC
region
DC to VREF
region
DC to VREF
region
nominal
slew rate
nominal
slew rate
Δ
TFS
Δ
TRH
Δ
TFH
Δ
TRS
VSS
VIH (AC) min.
VIH (DC) min.
VIL (DC) max.
VIL (AC) max.
VREF (DC)
VREF (DC)
-
VIL (AC) max.
Δ
TFS
VREF (DC)
-
VIL (DC) max.
Δ
TRH
Setup slew rate
Falling signal
Hold slew rate
Rising signal
=
=
VIH (AC) min.
-
VREF (DC)
Δ
TRS
VIH (DC) min.
-
VREF (DC)
Δ
TFH
Setup slew rate
Rising signal
Hold slew rate
Falling signal
=
=
Single-ended DQS
Differential DQS, /DQS
CK, /CK
Slew Rate Definition Nominal
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE702 | Serial LCD Interface IC |
| EDI8808CB | HIGH SPEED, LOW POWER 64K MONOLITHIC SRAM |
| EDI8F32256C | HIGH SPEED EIGHT MEGABIT SRAM MODULE |
| EDI8L32512C | 512K X 32 CMOS HIGH SPEED STATIC RAM |
| EDL1216AASA | GT 3C 3#12 SKT RECP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5116AJBG-LI | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| EDE5116AJSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJSE-6ELI-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
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