- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384280 > EDE5108AJBG-6E-E (ELPIDA MEMORY INC) 512M bits DDR2 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5108AJBG-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 64/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 589K |
| 代理商： | EDE5108AJBG-6E-E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁當(dāng)前第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁
EDE5108AJBG, EDE5116AJBG
Preliminary Data Sheet E1044E20 (Ver. 2.0)
64
WRIT
ACT
/CK
CK
T0
T2
T4
T6
T8
T10
T3
T5
T7
T9
T11
T12
T13
Command
DQS, /DQS
DQ
NOP
WL = RL
1 = 4
A10 = 1
≥
tWR
≥
tRP
Auto precharge begins
≥
tRC
in0
in1
in2
in3
in4 in5
in6
in7
Burst Write with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(WL = 4, BL = 8, tWR = 2, tRP = 3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5108AJBG-8E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-8E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE702 | Serial LCD Interface IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5108AJBG-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108GASA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。