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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5104AESK-6E-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 128M X 4 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 52/66頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | EDE5104AESK-6E-E |
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EDE5104ABSE, EDE5108ABSE, EDE5116ABSE
Data Sheet E0323E90 (Ver. 9.0)
52
Burst Write with Auto-Precharge [WRITA]
If A10 is high when a write command is issued, the Write with auto-precharge function is engaged. The DDR2
SDRAM automatically begins precharge operation after the completion of the burst writes plus write recovery time
(tWR). The bank undergoing auto-precharge from the completion of the write burst may be reactivated if the
following two conditions are satisfied.
(1) The data-in to bank activate delay time (tWR + tRP) has been satisfied.
(2) The /RAS cycle time (tRC) from the previous bank activation has been satisfied.
in1
in3
/CK
CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T12
Command
DQS, /DQS
DQ
>
tWR
=
>
tRC
=
Auto Precharge Begins
Completion of the Burst Write
in0
in2
Posted
WRIT
ACT
NOP
>
tRP
=
WL = RL –1 = 2
A10 = 1
Burst Write with Auto-Precharge (tRC Limit) (WL = 2, tWR =2, tRP=3)
NOP
CK
/CK
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
Command
DQS, /DQS
DQ
>
tWR
=
>
tRC
=
Auto Precharge Begins
Completion of the Burst Write
in0
in2
NOP
in1
in3
Posted
WRIT
ACT
>
tRP
=
WL = RL –1 = 4
A10 = 1
Burst Write with Auto-Precharge (tWR + tRP) (WL = 4, tWR =2, tRP=3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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