| 型號(hào): | DS_K4D263238D |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | 1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL |
| 中文描述: | 100萬(wàn)x 32Bit的× 4銀行雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM的雙向數(shù)據(jù)選通和DLL |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商: | DS_K4D263238D |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS_K4S161622D | 1M x 16 SDRAM |
| ds_k4s161622e | 1M x 16 SDRAM |
| DS_K6F1016U4C | 64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F2008U2E | 256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F2016U4E | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DSK5J01 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel Junction FET |
| DSK5J01P0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK5J01Q0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK5J01R0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK-701 | 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 2-WAY |