參數(shù)資料
型號(hào): DS_K4D263238D
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
中文描述: 100萬(wàn)x 32Bit的× 4銀行雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM的雙向數(shù)據(jù)選通和DLL
文件頁(yè)數(shù): 1/18頁(yè)
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代理商: DS_K4D263238D
128M DDR SDRAM
K4D263238D
- 1 -
Rev. 1.3 (Jul. 2002)
128Mbit DDR SDRAM
Revision 1.3
July 2002
1M x 32Bit x 4 Banks
Double Data Rate Synchronous DRAM
with Bi-directional Data Strobe and DLL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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DSK5J01P0L 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
DSK5J01Q0L 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
DSK5J01R0L 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時(shí)的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
DSK-701 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 2-WAY