參數(shù)資料
型號(hào)： DS_K4S161622D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1M x 16 SDRAM
中文描述： 100萬(wàn)× 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 1/43頁(yè)
文件大?。?/td> 680K
代理商： DS_K4S161622D
K4S161622D-TI/E
CMOS SDRAM
Rev 1.2 Jan '03
1M x 16 SDRAM
Revision 1.2
Jan 2003
512K x 16bit x 2 Banks
Synchronous DRAM
LVTTL
Industrial/ExtendedTemperature
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ds_k4s161622e 1M x 16 SDRAM
DS_K6F1016U4C 64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
DS_K6F2008U2E 256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
DS_K6F2016U4E 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
DS_K6F3216T6M 2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
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參數(shù)描述
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DSK5J01Q0L 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
DSK5J01R0L 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
DSK-701 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 2-WAY
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