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參數(shù)資料
| 型號： | ds_k4s161622e |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/42頁 |
| 文件大小： | 675K |
| 代理商： | DS_K4S161622E |
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K4S161622E
CMOS SDRAM
Rev 1.1 Jan '03
1M x 16 SDRAM
Revision 1.1
Jan 2003
512K x 16bit x 2 Banks
Synchronous DRAM
LVTTL
Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS_K6F1016U4C | 64K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F2008U2E | 256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F2016U4E | 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F3216T6M | 2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
| DS_K6F4016U6G | 256Kx16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DSK5J01 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel Junction FET |
| DSK5J01P0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK5J01Q0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK5J01R0L | 功能描述:JFET Junction FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| DSK-701 | 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:POWER DIVIDERS 0ì : 2-WAY |
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