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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CXK79M72C161GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 LVCMOS I/O (256K x 72) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1的LVCMOS的I / O（256 × 72）（27頁(yè)364K牧師7/6/01） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/30頁(yè) |
| 文件大小： | 554K |
| 代理商： | CXK79M72C161GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
11 / 30
July 19, 2002
DC Recommended Operating Conditions
(V
SS
= 0V, T
A
= 0 to 85
o
C)
1. The peak-to-peak AC component superimposed on V
REF
may not exceed 5% of the DC component.
2. V
IH
(max) AC = V
DDQ
+ 0.9V for pulse widths less than one-quarter of the cycle time (t
CYC
/4).
3. V
IL
(min) AC = -0.9V for pulse widths less than one-quarter of the cycle time (t
CYC
/4).
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Notes
Supply Voltage
V
DD
1.7
1.8
1.95
V
Output Supply Voltage
V
DDQ
1.4
---
V
DD
V
Input Reference Voltage
V
REF
V
DDQ
/2 - 0.1
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2 + 0.1
V
1
Input High Voltage
(Address, Control, Data)
V
IH
V
REF
+ 0.2
---
V
DDQ
+ 0.3
V
2
Input Low Voltage
(Address, Control, Data)
V
IL
-0.3
---
V
REF
- 0.2
V
3
Input High Voltage
(EP2, EP3, MCH)
V
MIH
V
REF
+ 0.3
---
V
DD
+ 0.3
V
Input Low Voltage
(EP2, EP3, MCL)
V
MIL
-0.3
---
V
REF
- 0.3
V
Clock Input Signal Voltage
V
KIN
-0.3
---
V
DDQ
+ 0.3
V
2,3
Clock Input Differential Voltage
V
DIF
0.4
---
V
DDQ
+ 0.6
V
Clock Input Common Mode Voltage
V
CM
V
DDQ
/2 - 0.1
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2 + 0.1
V
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