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參數(shù)資料
| 型號： | CXK79M36C160GB |
| 英文描述： | MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 HSTL I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
| 中文描述： | 內(nèi)存SigmaRAM 16Meg 1x1 HSTL的I / O（為512k × 36）（27頁364K牧師7/6/01） |
| 文件頁數(shù)： | 26/30頁 |
| 文件大小： | 554K |
| 代理商： | CXK79M36C160GB |
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SONY
Σ
RAM CXK79M72C160GB / CXK79M36C160GB / CXK79M18C160GB
Preliminary
18Mb 1x1Lp, HSTL, rev 1.0
26 / 30
July 19, 2002
.
Note 1
: NC and MCL pins at pad locations 5C, 5U, 7U, 6D, 6K, 6P, and 6T are connected to V
SS
internally, regardless of
pin connection externally.
Note 2
: MCH pin at pad location 6N is connected to V
DD
internally, regardless of pin connection externally.
1Mb x 18
Bit
Signal
NC
(1)
NC
(1)
NC
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCL
(1)
MCH
(2)
MCH
MCH
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
DQa
CQ1
CQ1
Ba
EP3
EP2
A
E3
A
A
A
W
ADV
E1
A
A
E2
Pad
Bit
Signal
Pad
1
2
3
4
5
6
7
8
9
5C
5U
7U
6D
6K
6P
6T
6N
6M
6L
10R
11P
10P
11N
10N
11M
10M
11L
10L
11K
10K
9C
6H
6G
9A
8a
7C
7B
7A
6B
6A
6C
5A
5B
4A
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
A
ZQ
Bb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
DQb
CQ2
CK
CK
CQ2
MCL
A
A
A
A
A
A
A0
A1
A
A
A
A
A
3A
6F
3B
2E
1F
2F
1G
2G
1H
2H
1J
2J
1K
3K
4K
2K
6J
3V
4V
4U
5V
6U
5W
6W
6V
7V
8V
7W
8U
9V
10
11
12
13
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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