參數(shù)資料
型號(hào)： CPV364M4FPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： CPV364M4FPBF
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
5
Document Number: 94487
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig. 7 - Typical Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
Fig. 8 - Typical Gate Charge vs. Gate to Emitter Voltage
Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Resistance
Fig. 10 - Typical Switching Losses vs. Junction Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
1
th
J
C
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Therm
a
lR
e
s
p
onse
(Z
)
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t
/ t
2. Peak T = P
x Z
+ T
12
J
DM
thJC
C
0
1000
2000
3000
4000
0
1
0
1
CE
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
Cies
Cres
Coes
VGE = 0V
f = 1 MHz
Cies = Cge + Cgc + Cce
SHORTED
Cres = Cce
Coes = Cce + Cgc
0
20
40
60
80
100
120
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
,
G
a
te
-to
-E
m
itte
rV
o
lta
g
e
(V
)
G
GE
V
= 400V
I
= 15A
CC
C
0
10
20
30
40
50
1.30
1.35
1.40
1.45
R
, Gate Resistance (
)
Tot
al
S
w
it
chi
n
g
Losses
(m
J)
G
V
= 480V
V
= 15V
T
= 25 C
I
= 15A
CC
GE
J
C
°
Ω
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
1
10
T , Junction Temperature ( C )
Tot
a
lS
w
it
chi
n
g
Losses
(m
J)
J
°
R
= 10
V
= 15V
V
= 480V
G
GE
CC
I =
A
30
C
I =
A
15
C
I =
A
7.5
C
Ω
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPV364M4KPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2
CPV364M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2
CR02A-2240
CR02D-0148
CR02D-224
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CPV364M4K 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:TRANS IGBT MOD N-CH 600V 24A 13PIN IMS-2 - Bulk 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE HEX IMS-2
CPV364M4KPBF 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV364M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV364M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 20A 600V IMS-2
CPV364MF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*