參數(shù)資料
型號(hào): CPV364M4FPBF
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 電源模塊
英文描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
中文描述: IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp
文件頁(yè)數(shù): 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: CPV364M4FPBF
Document Number: 95066
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www.vishay.com
Revision: 30-Jul-07
1
IMS-2 (SIP)
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters (inches)
Notes
(1) Tolerance uless otherwise specified ± 0.254 mm (0.010")
(2) Controlling dimension: inch
(3) Terminal numbers are shown for reference only
IMS-2 Package Outline (13 Pins)
7.87 (0.310)
5.46 (0.215)
1.27 (0.050)
6.10 (0.240)
3.05 ± 0.38
(0.120 ± 0.015)
0.51 (0.020)
0.38 (0.015)
62.43 (2.458)
53.85 (2.120)
3.91 (0.154)
2 x
21.97 (0.865)
3.94 (0.155)
4.06 ± 0.51
(0.160 ± 0.020)
5.08 (0.200)
6 x
1.27 (0.050)
13 x
2.54 (0.100)
6 x
0.76 (0.030)
13 x
1
3 4
6 7
9 10
12 13
15 16
18 19
17
14
11
258
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPV364M4KPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2
CPV364M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 13-Pin IMS-2
CR02A-2240
CR02D-0148
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參數(shù)描述
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CPV364M4KPBF 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
CPV364M4U 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2 RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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