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參數(shù)資料
| 型號： | CPV364M4FPBF |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 電源模塊 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | CPV364M4FPBF |
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
4
Document Number: 94487
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Fig. 1 - Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = IRMS of Fundamental)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs. Case Temperature
Fig. 5 - Typical Collector to Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
0.1
1
10
100
0
5
10
15
20
25
f, Frequency (KHz)
L
O
AD
CURRENT
(A)
Tc = 90°C
Tj = 125°C
Power Factor = 0.8
Modulation Depth = 1.15
Vcc = 50% of Rated Voltage
0.00
1.47
2.94
4.40
Total
Output
Power
(kW)
5.87
7.34
1
10
100
0
1
CE
CI
,
C
o
llector-to-Em
itter
C
u
rrent
(A)
V
, Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150°C
T = 25°C
J
V
= 15V
20s PULSE WIDTH
GE
1
10
100
56789
10
CI
,
C
o
llector-to-Em
itter
C
u
rrent
(A)
GE
T = 25°C
T = 150°C
J
V
, Gate-to-Emitter Voltage (V)
V
= 50V
5s PULSE WIDTH
CC
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T , Case Temperature ( C)
M
a
x
im
u
m
D
C
o
lle
c
to
rC
u
rre
n
t(A
)
C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
,
C
o
lle
c
to
r-to
-E
mitte
rV
o
lta
g
e
(V
)
J
°
CE
V
= 15V
80 us PULSE WIDTH
GE
I =
A
7.5
C
I =
A
15
C
I =
A
30
C
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PDF描述 |
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