參數(shù)資料
型號(hào): CPV364M4FPBF
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 電源模塊
英文描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
中文描述: IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp
文件頁數(shù): 10/11頁
文件大?。?/td> 236K
代理商: CPV364M4FPBF
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
8
Document Number: 94487
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Fig. 18a - Test Circuit for Measurement of ILM, Eon, Eoff(diode), trr, Qrr,
Irr, td(on), tr, td(off), tf
Fig. 18b - Test Waveforms for Circuit for Fig. 18a,
Defining Eoff, td(off), tf
Fig. 18c - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Eon, td(on), tr
Fig. 18d - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Erec, trr, Qrr, Irr
Fig. 18e - Macro Waveforms for Figure 18a’s Test Circuit
Same type
device as
D.U.T.
430 F
80 %
of V
CE
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5S
Vce ic dt
90% Vge
+Vge
Eoff =
Vceiedt
t2
t1
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
Eon =
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
10% Vcc
Irr
10% Irr
Vcc
trr
Qrr =
trr
tx
id dt
Vg GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TES
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
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PDF描述
CPV364M4KPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 24A 13-Pin IMS-2
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CR02D-0148
CR02D-224
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參數(shù)描述
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CPV364M4KPBF 功能描述:IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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