參數(shù)資料
型號(hào)： CPV362M4FPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 8.8A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 4.8 Amp
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： CPV362M4FPBF
CPV362M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
6
Document Number: 94361
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Fig. 17 - Typical dI(REC)M/dt vs dIF/dt
Fig. 18a - Test Circuit for Measurement of ILM, Eon, Eoff(diode), trr, Qrr,
Irr, td(on), tr, td(off), tf
Fig. 18b - Test Waveforms of Circuit of Fig. 18a,
Defining Eoff, td(off), tf
Fig. 18c - Test Waveforms of Circuit of Fig. 18a,
Defining Eon, td(on), tr
Fig. 18d - Test Waveforms of Circuit of Fig. 18a,
Defining Erec, trr, Qrr, Irr
Fig. 18e - Macro Waveforms for Figure 18a’s Test Circuit
100
10 000
1000
dI
(rec)M
/dt
-
(A/s)
dIF/dt - (A/s)
1000
100
I
F
= 16 A
I
F
= 8.0 A
I
F = 4.0 A
V
R = 200 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
D.U.T.
430 F
80 %
of V
CE
Same type
device
as
D.U.T.
I
C
V
CE
t1
t2
90 % I
C
10 %
V
CE
t
d(off)
tf
I
C
5 % I
C
t1 + 5 s
V
CE IC dt
t1
90 % V
GE
+ V
GE
∫
Eoff =
∫
t2
V
CE IC dt
t1
5 % V
CE
I
C
I
pk
V
CC
10 %
I
C
Vce
t1
t2
D.U.T. voltage
and current
Gate voltage D.U.T.
+ V
G
10 % + V
G
90 % I
C
tr
t
d(on)
Eon =
Diode reverse
recovery energy
tx
∫
E
rec =
t4
V
d IC dt
t3
t4
t3
Diode recovery
waveforms
I
C
V
pk
10 % V
CC
I
rr
10 % I
rr
V
CC
t
rr
∫
Q
rr =
t
rr
I
C dt
tx
V
G Gate signal
device under test
Current D.U.T.
Voltage in D.U.T.
Current in D1
t0
t1
t2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CPV363M4UPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 11A 13-Pin IMS-2
CPV364M4FPBF Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2
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參數(shù)描述
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CPV362M4UPBF 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:IGBT Module N-CH 7.2A 600V IMS-2
CPV362MF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Fast IGBT
CPV362MK 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:IGBT SIP MODULE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
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