參數(shù)資料
型號(hào)： CPV362M4FPBF
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 電源模塊
英文描述： Trans IGBT Module N-CH 600V 8.8A 13-Pin IMS-2
中文描述： IGBT Transistors 600 Volt 4.8 Amp
文件頁(yè)數(shù)： 5/9頁(yè)
文件大?。?/td> 219K
代理商： CPV362M4FPBF
CPV362M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
5
Document Number: 94361
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Fig. 11 - Typical Switching Losses vs.
Collector to Emitter Current
Fig. 12 - Turn-Off SOA
Fig. 13 - Maximum Forward Voltage Drop vs.
Instantaneous Forward Current
Fig. 14 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt
Fig. 15 - Typical Recovery Current vs. dIF/dt
Fig. 16 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Total
Switching
Losses
(mJ)
IC - Collector to Emitter Current (A)
2468
10
0
R
G = 50 Ω
T
J = 150 °C
V
CC = 480 V
V
GE = 15 V
1
100
10
I C
-
Collector
to
Emitter
Current
(A)
VCE - Collector to Emitter Voltage (V)
10
100
1000
1
Safe operating area
V
GE = 20 V
T
J = 125 °C
0.1
1
100
10
I F
-
Instantaneous
Forward
Current
(A)
VFM - Forward Voltage Drop
0.4
2.0
2.4
1.6
1.2
0.8
2.8
3.2
T
J = 150 °C
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0
100
20
40
60
80
t rr
(ns)
dIF/dt (A/s)
1000
100
I
F = 8.0 A
I
F = 4.0 A
V
R = 200 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
I
F = 16 A
1
100
10
I IRRM
-(A)
dIF/dt - (A/s)
1000
100
I
F = 16 A
I
F = 8.0 A
I
F = 4.0 A
V
R = 200 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
0
100
200
300
400
500
Q
rr
-
(nC)
dIF/dt - (A/s)
1000
100
I
F = 16 A
I
F = 8.0 A
I
F = 4.0 A
V
R = 200 V
T
J = 125 °C
T
J = 25 °C
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PDF描述
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