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參數(shù)資料
| 型號： | CPH5857 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | MOSFET的：P溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管通用開關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | CPH5857 |
CPH5857
No. A0547-4/6
0
0
--1
--2
--3
3.5
3
1
2
--4
VDS= --10V
ID= --1.5A
IT02739
3
--0.1
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
100
7
5
3
2
10
7
5
VDD= --10V
VGS= --4V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT02737
0
10
--5
100
--10
1000
7
5
3
2
7
5
3
2
--20
--15
f=1MHz
Ciss
Coss
Crss
IT02738
IT02735
--0.01
0.1
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
2
3
5
10
1.0
7
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3
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y
fs
-- ID
VDS= --10V
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
IT02736
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.4
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
VGS=0V
-
°
C
2
°
C
T5
°
C
F
y
f
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
S
IS -- VSD
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
S
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
A S O
IDP= --6.0A
C
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
G
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
Ambient Temperature, Ta --
°
C
A
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
≤
10
μ
s
100
μ
s
[MOSFET]
0
0
20
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1.2
1.0
140
160
IT11564
DCoprton(T=25
°
C
1m
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
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--0.01
2
3
5 7
2
3
5 7
2
3
5 7
2
3
--0.1
--0.01
--1.0
--10
IT11563
Operation in this
area is limited by RDS(on).
ID= --1.5A
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board(900mm
2
0.8mm)1unit
Mounedonaceamcboad900mm
2
08mm1unt
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