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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CPH5857 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device |
| 中文描述： | MOSFET的：P溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管通用開關(guān)設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | CPH5857 |
CPH5857
No. A0547-3/6
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
trr Test Circuit
[SBD]
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --800mA
RL=12.5
VDD= --10V
VOUT
CPH5857
VIN
0V
--4V
VIN
Duty
≤
10%
50
100
10
--5V
trr
1
1
1
10
μ
s
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--1
--2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--3
--4
--5
--6
100
200
300
400
500
600
0
--7
--8
--9
--10
IT02733
0
0
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--1.2
--1.0
0
--0.4
--0.2
--0.6
--0.8
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--1.2
--1.0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
VGS= --1.5V
-.V
-20V
-.V
-.V
IT02731
0
--0.5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
VDS= --10V
T=5
°
C
-5
°
C
2
°
C
IT02732
IT02734
ID= --0.4A, VGS= --2.5V
ID= --0.8A, VGS= --4.0V
0
100
200
300
400
500
Ta=25
°
C
--0.8A
ID= --0.4A
S
O
Ambient Temperature, Ta --
°
C
RDS(on) -- Ta
RDS(on) -- VGS
S
O
ID -- VGS
D
ID -- VDS
D
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
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