參數(shù)資料
型號(hào)： CPH5852
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
中文描述： MOSFET的：P溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 60K
代理商： CPH5852
CPH5852
No. A0336-5/6
0
IT09553
10
Reverse Voltage, VR -- V
C -- VR
0
35
IT09554
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
5
7
2
1.0
3
0.4
0.6
0.7
0.1
0.2
Forward Voltage, VF -- V
PF(AV) -- IO
0.3
0.5
0.0001
5
5
5
5
5
5
5
5
0.001
0.01
0.1
10
1.0
100
1000
10000
20
15
5
25
30
T1
2
°
C
7
°
C
5
°
C
0
°
C
-
°
C
Ta=1
25
°
C
1
00
°
C
75
°
C
50
°
C
25
°
C
0
°
C
--25
°
C
0.1
1.0
100
7
2
10
2
3
5
7
3
2
3
5
7
2
10
3
5
2
3
5
7
0
0
0.8
0.7
0.5
0.3
0.6
0.4
0.2
0.1
0.4
1.2
0.8
1.0
0.2
0.6
IT09555
IT09556
(1)
(2)(4)(3)
1
0
°
C
2
°
C
F
IF -- VF
IR -- VR
R
μ
A
Average Output Current, IO -- A
IFSM -- t
Current waveform 50Hz sine wave
A
Reverse Voltage, VR -- V
I
(1)Rectangular wav
e
θ
=60
°
(2)Rectangular wav
e
θ
=120
°
(3)Rectangular wav
e
θ
=180
°
(4)Sine wav
e
θ
=180
°
θ
360
°
Rectangular
wave
180
°
360
°
Sine
wave
70.01
2
3
7
0.1
Time, t -- s
0
5
2
2
3
3
7
1.0
5
12
14
8
4
10
6
2
ID00435
I
S
20ms
t
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CPH5854 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
CPH5856 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
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參數(shù)描述
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