參數(shù)資料
型號(hào)： CPH5852
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
中文描述： MOSFET的：P溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： CPH5852
CPH5852
No. A0336-3/6
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
P.G
50
G
S
D
ID= --1A
RL=15
VDD= --15V
VOUT
CPH5852
VIN
0V
--10V
VIN
Duty
≤
10%
50
100
10
--5V
trr
1
1
1
10
μ
s
Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
trr Test Circuit
[SBD]
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
--2
--4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--6
--8
--12
--14
--16
--10
--18
--20
RDS(on) -- VGS
IT03214
0
0
--0.4
--0.8
--1.6
--2.0
--0.2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
--1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--0.1
--0.3
--0.5
--0.7
--0.9
ID -- VDS
-.V
VGS= --3.0V
-35V
-0
-.
IT03212
0
--0.5
--1.0
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
ID -- VGS
VDS=
--
10V
2
°
C
-5
°
C
T=5
°
C
IT03213
RDS(on) -- Ta
IT03215
50
100
150
200
250
300
350
400
0
Ta=25
°
C
--1.0A
ID= --0.5A
ID= --1.0A, VGS= --10V
ID= --0.5A, VGS= --4V
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
S
O
D
D
Ambient Temperature, Ta --
°
C
S
O
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PDF描述
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