參數(shù)資料
型號： CPH5852
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
中文描述： MOSFET的：P溝道MOSFET的硅SBD智能交通：肖特基二極管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 60K
代理商： CPH5852
CPH5852
No. A0336-4/6
0
1
2
3
4
6
5
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --2A
IT03220
[MOSFET]
[MOSFET]
≤
10
μ
s
[MOSFET]
0
0
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
0.2
0.4
0.6
0.8
0.9
1.0
60
80
100
120
140
160
PD -- Ta
IT03222
A S O
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--10
--1.0
--0.1
--0.01
--0.1
2 3
5 7--1.0
--0.01 2 3
5 7
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
2 3
5 7
7
--10
2 3
5
--100
IT03221
IDP= --8A
ID= --2A
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
μ
s
DCoeain
1m
1m
Ta=25
°
C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (600mm
2
0.8mm) 1unit
Mounedonacrmcbord(600mm
2
08mm 1unt
Total Gate Charge, Qg -- nC
G
A
D
--0.1
--1.0
2
3
5
7
2
3
5
7
5
3
2
2
10
100
7
5
3
2
1.0
SW Time -- ID
VDD=
--
15V
VGS=
--10
V
td(on)
td(off)
tr
tf
IT03218
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT03216
--0.01
--0.1
Drain Current, ID -- A
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
--1.0
--10
10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
y
fs
-- ID
VDS=
--
10V
75
°
C
25
°
C
Ta=-25
°
C
IT03217
--0.2
--0.3
--0.4
Diode Forward Voltage, VSD -- V
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
--0.01
--0.1
--10
--1.0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
-
°
C
2
°
C
T7
°
C
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
f=1MHz
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
10
100
3
2
7
5
3
2
Ciss
Coss
Crss
IT03219
Drain Current, ID -- A
S
F
y
f
S
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
C
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PDF描述
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