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參數(shù)資料
| 型號： | CJD137DF |
| 廠商： | Continental Device India Limited |
| 英文描述： | TRIAC |
| 中文描述： | 可控硅 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 647K |
| 代理商： | CJD137DF |
CJD137D
DPAK (TO-252)
Plastic Package
CJD137DRev120606E
Continental Device India Limited
Data Sheet
Page 4 of 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CJD3439 | NPN SILICON PLASTIC HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
| CJD81 | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
| CJD86 | NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR |
| CJDX136D | TRIAC |
| CJDX136 | TRIAC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CJD200 | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 12.5W (TC=25C) 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose NPN SM POWER TRANSISTOR DPAK 12.5W (TC=25C) - free partial T/R at 500. |
| CJD200 BK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 40V 5A DPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CJD200 TR13 | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CJD Series 25 V 5 A NPN SMT Complementary Silicon Power Transistor - TO-252 |
| CJD200_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| CJD210 | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 12.5W (TC=25C) 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 12.5W (TC=25C) - free partial T/R at 500. |
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