類(lèi)型:通信IC | 品牌:N\A | 型號(hào):IRF740 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):拆機(jī).散新
≥300 個(gè)
¥0.80
品牌:各種進(jìn)口名牌廠家 | 型號(hào):批發(fā)拆機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥200 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):拆機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管IRF730 IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥0.60
類(lèi)型:通信IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):拆機(jī).散新
≥1000 個(gè)
¥0.01
≥1000 個(gè)
¥0.60
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 材料:硅(Si)
≥100000 PCS
¥0.25
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220
品牌:IR | 型號(hào):IRF740 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥0.40
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥10 個(gè)
¥0.01
品牌:ST/意法 | 型號(hào):IRF740 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
500-999 個(gè)
¥0.45
1000-4999 個(gè)
¥0.42
≥5000 個(gè)
¥0.40
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:GEP/互補(bǔ)類(lèi)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | TO-220:IRF740
≥10 個(gè)
¥0.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插形
≥100 PCS
¥0.45
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF740A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插形
≥100 PCS
¥0.42
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740,IRF840,IRF640 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插形
≥100 PCS
¥0.80
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):740 840 | 材料:硅(Si)
≥1000 PCS
¥0.40
品牌:各進(jìn)口名牌廠家 | 型號(hào):IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.30