品牌:進(jìn)口拆機(jī) | 型號(hào):IRF730 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:+- | 跨導(dǎo):- | 開(kāi)啟電壓:+- | 夾斷電壓:+- | 低頻噪聲系數(shù):+- | 極間電容:+- | 最大耗散功率:+-
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20000 | 低頻噪聲系數(shù):28 | 極間電容:0.2
5000-9999 個(gè)
￥3.80
10000-49999 個(gè)
￥3.70
≥50000 個(gè)
￥3.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥3000 個(gè)
￥0.25
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):拆機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管IRF730 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
￥0.60
品牌:IR | 型號(hào):IRF740 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥0.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥0.40
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導(dǎo):vgs | 開(kāi)啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w
≥100 個(gè)
￥0.21
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740.IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:. | 跨導(dǎo):. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
≥100 個(gè)
￥0.80
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF730 IRF730N IRF740 IRF740N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
￥0.70
≥1000 個(gè)
￥0.60
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF740，IRF730，IRF630 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SENSEFET電流敏感 | 最大漏極電流:010 | 跨導(dǎo):0 | 開(kāi)啟電壓:01 | 夾斷電壓:010 | 低頻噪聲系數(shù):010 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:01
≥1000 個(gè)
￥0.45
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF730B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
50-199 個(gè)
￥1.50
200-1999 個(gè)
￥1.48
≥2000 個(gè)
￥1.45
類型:其他IC | 品牌:IR/VISHAY | 型號(hào):IRF730 | 功率:參考規(guī)格書(shū) | 用途:CC/恒流 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):NEW
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF730 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 跨導(dǎo):10 | 開(kāi)啟電壓:600 | 夾斷電壓:10
≥1 個(gè)
￥1.20
品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5500 | 跨導(dǎo):詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 開(kāi)啟電壓:400 | 夾斷電壓:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 低頻噪聲系數(shù):詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 極間電容:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū) | 最大耗散功率:詳見(jiàn)規(guī)格書(shū)
≥1000 個(gè)
￥0.50
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:TO-220
≥100 個(gè)
￥0.55
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2499 個(gè)
￥2.00
≥2500 個(gè)
￥1.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF730B 場(chǎng)效應(yīng)管 現(xiàn)貨新品 | 溝道類型:其他 | 類型:存儲(chǔ)器 | 批號(hào):2010 | 封裝:TO220
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):IRF730PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1000 個(gè)
￥2.10