品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):85N03 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導(dǎo):* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*

類(lèi)型:其他IC | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IPP06CN10 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 最大漏極電流:面議 | 跨導(dǎo):面議 | 開(kāi)啟電壓:100 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 夾斷電壓:100 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 低頻噪聲系數(shù):面議 | 極間電容:面議 | 最大耗散功率:面議

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP250N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:/ | 低頻噪聲系數(shù):/ | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號(hào):W14NC50 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:500 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:14 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2607 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):. | 最大漏極電流:. | 開(kāi)啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數(shù):. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):6030L | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:30 | 集電極最大允許電流ICM:60 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結(jié)構(gòu):合金型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):ifr830/irf830a/irf840 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):19F7476 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:247 | 封裝:拆機(jī)/散新 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K851 | 溝道類(lèi)型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:10 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:10 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 批號(hào):TO-3P | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 封裝:拆機(jī)/散新 | 擊穿電壓VCEO:101 | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):ESM4092 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.015 | 跨導(dǎo):25 | 開(kāi)啟電壓:30 | 夾斷電壓:30 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:0.015