品牌:進口 | 型號:IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:拆機場效應管供應IRF840.IRF830.IRF740.IRF730.IRTF640.IRF630 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | ?:?

品牌:各進口名牌廠家 | 型號:IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:進口 拆機件 | 型號:IRF630 TYN1225 IRF640 IRF740 IRF840 IRF730 IRF830 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:10 | 低頻噪聲系數(shù):2 | 極間電容:5

應用范圍:振蕩 | 品牌:進口拆機 | 型號:三極管 D2012 C3852 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:220 朔封

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640B | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:拆機場效應管IRF640，IRF740， | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:?

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:O/振蕩 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應 | 最大漏極電流:22 | 跨導:22 | 開啟電壓:22 | 夾斷電壓:22 | 低頻噪聲系數(shù):22 | 極間電容:22 | 最大耗散功率:22

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF620 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:進口 | 型號:IRF640 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:20 | 跨導:25 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:425 | 最大耗散功率:218

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540 IRF630 IRF640 IRF650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數(shù):0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF640，IRF630B，IRF630 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數(shù):n | 極間電容:n

種類:場效應管 | 品牌:進口 | 型號:IRF540