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參數(shù)資料
| 型號： | CGY2013G |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | GSM 4 W power amplifier |
| 中文描述： | 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-313-2, PLASTIC, LQFP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | CGY2013G |
1998 Jan 23
6
Philips Semiconductors
Preliminary specification
GSM 4 W power amplifier
CGY2013G
AC CHARACTERISTICS
V
DD
= 3.6 V; T
amb
= 25
°
C; V
GG1
= V
GG2
=
1.8 V; measured on Philips demoboard.
Note
1.
The device is adjusted to provide nominal value of load power into a 50
load. The device is switched off and a 6 : 1
load replaces the 50
load. The device is switched on and the phase of the 6 : 1 load is varied
360 electrical degrees during a 60 second period.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Power amplifier
P
i
f
RF
P
o(max)
input power
RF frequency range
maximum output power
2
880
33.5
32
42
35.5
52
20
+2
915
15
117
125
35
35
70
dBm
MHz
dBm
dBm
%
dBm
dBm/Hz
dBm/Hz
dBc
dBc
dBc
T
amb
= 25
°
C; V
DD
= 3.6 V
T
amb
=
20 to +85
°
C; V
DD
= 3 V
V
DD
= 3.6 V
V
DD
< 0.1 V
f
RF
= 925 to 935 MHz at P
o(max)
f
RF
= 935 to 960 MHz at P
o(max)
η
P
o(min)
N
RX
efficiency
minimum output power
output noise in RX band
H2
H3
Stab
2nd harmonic level
3rd harmonic level
stability
note 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGY2014 | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2021G | DCS/PCS 2 W power amplifier |
| CGY2030M | DECT 500 mW power amplifier |
| CGY2105 | High dynamic range dual LNA MMIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CGY2014 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014TT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER|DUAL|GAAS|TSSOP|20PIN|PLASTIC |
| CGY2020G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier |
| CGY2021G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:DCS/PCS 2 W power amplifier |
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