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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CGY2010G |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | 衰減器 |
| 英文描述： | GSM 4 W power amplifiers |
| 中文描述： | 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | CGY2010G |
1996 Jul 08
8
Philips Semiconductors
Objective specification
GSM 4 W power amplifiers
CGY2010G; CGY2011G
APPLICATION INFORMATION
Fig.3 Evaluation board schematic (FR4, 0.8 mm).
handbook, full pagewidth
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
VDD3
12
MGB764
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
1 k
560
1 k
39 pF
39
pF
100
100
39
90
μ
A
100 pF
100 pF
0.8 to 3 V
BSR14
10
nF
10
pF
33 pF
(1)
(4)
(1)
(1)
22
nH
TRL3
(2)
TRL1
PHP109
BAS70
BAS70
1 nF
10
pF
8
pF
1.25 V
PMOS
Ron
<
0.1
10 nH
1.5 pF
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
nF
27
pF
1
nF
10 pF
100 pF
X7R
DC output
Vdiode
Vcontrol
Vbat
+
4.8 V
Zc = 50
47
(3)
TRL2
100
PA
input
PA
output
2 V
CGY2010G
CGY2011G
VGG1
VGG2
RFO/VDD4
VDD1
VDD2
RFI
DETO
(1) These capacitors are type: SMD0402; rest of the capacitors: SMD0603.
(2) TRL1: width: 0.3 mm; length: 16 mm.
(3) TRL2: width: 0.3 mm; length: 6.3 mm.
(4) TRL3: width: 0.3 mm; length: 20 mm.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGY2011G | GSM 4 W power amplifiers |
| CGY2013G | GSM 4 W power amplifier |
| CGY2014 | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2021G | DCS/PCS 2 W power amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CGY2011G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifiers |
| CGY2013G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifier |
| CGY2014 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱(chēng):NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014TT | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER|DUAL|GAAS|TSSOP|20PIN|PLASTIC |
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