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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CGY2010G |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 衰減器 |
| 英文描述： | GSM 4 W power amplifiers |
| 中文描述： | 880 MHz - 915 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | CGY2010G |
1996 Jul 08
6
Philips Semiconductors
Objective specification
GSM 4 W power amplifiers
CGY2010G; CGY2011G
DC CHARACTERISTICS
V
DD
= 4.5 V; T
amb
= 25
°
C; general operating conditions applied; peak current values during burst; unless otherwise
specified.
Note
1.
The negative bias V
GG1
and V
GG2
must be applied 10
μ
s before the power amplifier is switched on, and must remain
applied until the power amplifier has been switched off.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Pins RFO/V
DD4,
V
DD3
, V
DD2
, V
DD1
and DETO/V
DD5
V
DD
I
DD
positive supply voltage
positive peak supply current
0
4.2
1.8
5.5
2.2
V
A
Pins V
GG1
and V
GG2
V
GG1
V
GG2
I
GG1
+ I
GG2
negative supply voltage
negative supply voltage
negative peak supply current
note 1
note 1
2
2
2.5
5
V
V
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGY2011G | GSM 4 W power amplifiers |
| CGY2013G | GSM 4 W power amplifier |
| CGY2014 | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2021G | DCS/PCS 2 W power amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CGY2011G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifiers |
| CGY2013G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM 4 W power amplifier |
| CGY2014 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014ATW | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:GSM/DCS/PCS power amplifier |
| CGY2014TT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:MICROWAVE/MILLIMETER WAVE AMPLIFIER|DUAL|GAAS|TSSOP|20PIN|PLASTIC |
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