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參數(shù)資料
| 型號： | CEU01N6 |
| 英文描述： | 600V N Channel MOS |
| 中文描述： | 600V的?頻道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | CEU01N6 |
5
Figure 11. Switching Test Circuit
Figure 12. Switching Waveforms
t
V
V
t
t
d(on)
OUT
IN
on
r
10%
t
d(off)
90%
10%
10%
50%
50%
90%
t
off
t
f
90%
PULSE WIDTH
INVERTED
T
Square Wave Pulse Duration (msec)
Figure 13. Normalized Thermal Transient Impedance Curve
r
V
DD
R
D
V
V
R
S
V
G
GS
IN
GEN
OUT
L
V
G
,
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
I
D
,
CED01N6/CEU01N6
2
1
0.1
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
P
DM
t
1
t
2
1. R
JC
(t)=r (t) * R
JC
2. R
JC
=See Datasheet
3. T
JM-
T
C
= P* R
JC
(t)
4. Duty Cycle, D=t1/t2
15
12
9
6
3
0
0
3
6
9
12
V
DS
=480V
I
D
=1A
RDSON Lmt
10
1
0.01
1
10
100
1000
T
C
=25C
Tj=150 C
Single Pulse
0.1
500
DC
10ms
1ms
100
μ
s
Single Pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CED01N6 | 600V N Channel MOS |
| CEU1012 | 120V N Channel MOS |
| CED1012 | 120V N Channel MOS |
| CEU9926 | 20V N Channel MOS |
| CED9926 | 20V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CEU01N65 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEU01N65A | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEU01N6G | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEU01N7 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CEU02N6 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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