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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CES2303 |
| 英文描述： | -30V P Channel MOS |
| 中文描述： | - 30V的P通道馬鞍山 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | CES2303 |
CES2301
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
V
G
g
F
,
V
G
,
B
D
,
D
-
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
-I
DS
, Drain-Source Current (A)
Figure 9. Gate Charge
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area
-V
DS
, Drain-Source Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
-V
SD
, Body Diode Forward Voltage (V)
Tj, Junction Temperature ( C)
Tj, Junction Temperature ( C)
-
D
,
7
10
8
0
2
4
6
0
1
2
3
4
V
DS
=-5V
4
1.60
1.40
1.20
1.00
0.60
0.80
0.40
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=-250
A
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=-250
A
4
5
3
2
1
0
0
1
3
4
5
V
DS
=-6V
I
D
=-2.8A
2
1
0.1
0.01
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
10
1.0
10
10
-1
10
10
1
1
0
10
-2
10
0
10
1
10
-1
T
A
=25 C
Tj=150 C
Single Pulse
RDSON Lmt
DC
1s
100ms
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CES2304 | 30V N Channel MOS |
| CEU01N6 | 600V N Channel MOS |
| CED01N6 | 600V N Channel MOS |
| CEU1012 | 120V N Channel MOS |
| CED1012 | 120V N Channel MOS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CES2304 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V N Channel MOS |
| CES2305 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CES2307 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CES2308 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| CES2309 | 制造商:CET 制造商全稱:Chino-Excel Technology 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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